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元件参数资料
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参数目录39942
> SI4340DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
型号:
SI4340DY-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI4340DY-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DY-T1-E3 Series 14-SOIC
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.3A,9.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫欧 @ 9.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.14W,1.43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
14-SOICN
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI4340DY-T1-E3CT
查看SI4340DY-T1-E3代理商
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